| 主权项 |
1.一种形成膜之方法,其特征为:在加热状态下将许多被处理体搬入反应管内,在加热状态及减压下将氢气及/或矽烷系气体供给于反应管内对被处理体表面进行还原处理,在加热状态下于被处理体表面形成膜,将形成膜之被处理体从反应管中搬出。2.如申请专利范围第1项之形成膜之方法,其中将矽烷系气体以氢气或惰性气体稀释后供给反应管内,将被处理体表面予以还原处理。3.如申请专利范围第1项之形成膜之方法,其中以氢气取代矽烷系气体供给于反应管内而对被处理体表面进行还原处理。4.如申请专利范围第1项之形成膜之方法,其中将被处理体搬入及搬出反应管内时待机之搬入室内形成为惰性气体状态。5.如申请专利范围第1项之形成膜之方法,其中将反应管内之温度设定为抑制自然氧化膜之生长之温度后,将被处理体搬入反应管内。6.一种外延生长方法,其特征为:在加热状态下将许多被处理体搬入反应管内,在加热状态下将氢气及/或矽烷系气体供给于被处理体表面而对被处理体表面进行还原处理,在加热状态及减压下供给生长气体而在被处理体表面进行外延生长,将经过外延生长之被处理体从反应管内搬出。7.一种外延生长方法,其特征为:在加热状态下将许多被处理体搬入反应管内,在加热状态下将表面处理气体供给于反应管内将被处理体表面清净化,在加热状态及减压状态下将生长气体供给于反应管内在被处理体表面进行外延生长。8.一种形成膜之方法,其特征为:在加热状态下将许多被处理体搬入反应管内,在加热状态及减压状态下将惰性气体供给于被处理体表面将被处理体表面清净化,在加热状态下在被处理体表面形成膜后,从反应管内搬出经过成膜之被处理体。9.如申请专利范围第8项之形成膜之方法,其中惰性气体系由氩气所构成。10.如申请专利范围第9项之形成膜之方法,其中将被处理体搬入及搬出反应管内时待机之搬入室内形成为惰性气体状态。11.如申请专利范围第9项之形成膜之方法,其中将反应管内之温度设定为抑制自然氧化膜之生长之温度后,将被处理体搬入反应管内。第1图为表示实施本发明之形成膜之方法之纵型热处理装置之一例之纵断面图;第2图为使用于第1图所示纵型热处理装置之密封装置之一实施例之模式说明图;第3图为第2图所示密封装置之具体例之纵断面图;第4图为表示关于本发明之形成膜之过程之一实施例之过程与温度之关系之说明图;第5A图至第5C图为本发明第1实施例之成膜方法之过程之模式说明图;第6图为表示用来实施本发明之形成膜之方法之纵型热处理装置之实施例之纵断面图;第7图为用来实施本发明之形成膜之方法之纵型热处理装置之另一实施例之纵断面图;第8图为第7图所示纵型热处理装置之加热部之加热块之透视图;第9图为使用于第7图所示纵型热处理装置之晶圆容器之一部放大图;第10图为本发明第2实施例之外延生长过程之一实施例之过程与温度与关系之说明图;第11A至11C图为本发明第2实施例之外延生长方法之过程之模式说明图;第12图为表示外延生长方法中HC_2CO分压与生成SiO及SiOC_2C时之温度之关系之特性图;第13图为本发明第3实施例之另一形成膜之方法之过程之实施例中,过程与温度之关系之说明图;第14图为第3实施例之形成膜之方法中,还原处理后之降温过程中之氩气与压力,界面氧气量之关系之特性图;第15图为用来说明习用之形成膜之 |
