| 主权项 |
1. 一种金属绝缘半导体(MIS)结构,其具有:(a) 至少一个汲极区(1),(b) 至少一个位于汲极区(1)表面(10)上的基板区(3),(c) 至少一个和汲极区(1)之间隔着基板区(3)的源极区(2),(d) 至少一个源极(S),源极区(2)和基板区(3)经由此一电极相互通电,(e) 至少一个连接源极区(2)和汲极区(1)之基板区(3)通道带(32),以及(f) 至少一个闸极(G),此一闸极(G)经由位于通道带(32)和闸极(G)之间的绝缘体区(5)控制通道带(32)的电阻,其中(g) 汲极区(1)和源极区(2)具有以碳化矽为材料的相同电极,而基板区(3)同样也是以碳化矽为材料,但却具有相反的电极,(h) 在基板区(3)中至少有一个至少部分位于源极区(2)下方并且直接和源极区(2)相邻的部分区(33),此一区域的充电介质浓度比基板区(3)的通道带(32)大。2. 如申请专利范围第1项之金属绝缘半导体结构,其中基板区(3)的部分区(33)位于整个源极区(2)下方。3. 如申请专利范围第1或2项之金属绝缘半导体结构,其中基板区(3)的部分区(33)一直延伸至源极(S)。4. 如申请专利范围第1项或第2项之金属绝缘半导体结构,其中基板区(3)的部分区(33)系经由掺杂材料微粒的离子移植作用而形成。5. 如申请专利范围第1项或第2项之金属绝缘半导体结构,其中基板区(3)的部分区(33)以铝作为掺杂材料。6.如申请专利范围第1项或第2项之金属绝缘半导体结构,其中至少基板区(3)的通道带(33)以硼作为掺杂材料。7. 如申请专利范围第1项之金属绝缘半导体结构,其中基板区(3)与汲极区(1)相邻的转换区(34)具有比其通道带(32)更高的充电介质浓度。8. 如申请专利范围第7项之金属绝缘半导体结构,其中基板区(3)的转换区(34)系经由基板区(3)内之掺杂材料微粒的离子移植作用而形成。9. 如申请专利范围第7或第8项之金属绝缘半导体结构,其中基板区(3)的转换区(34)以硼作为掺杂材料。10.如申请专利范围第1项或第2项之金属绝缘半导体结构,其中源极区(2)系经由基板区(3)内之掺杂材料微粒的离子移植作用而形成。11. 如申请专利范围第1项或第2项之金属绝缘半导体结构,其中源极区(2)以氮作为掺杂材料。12. 如申请专利范围第1项之金属绝缘半导体结构,其中汲极区(1)位于背对着表面(10)之平面上的半导体基片(8)上。13. 如申请专利范围第12项中之金属绝缘半导体结构,其中半导体基片(8)的充电介质浓度大于汲极区(1)。14. 如申请专利范围第12或第13项之金属绝缘半导体结构,其中半导体基片(8)和汲极区(1)的电极相同。15.如申请专利范围第12或第13项之金属绝缘半导体结构,其中半导体基片(8)的电极和汲极区(1)的电极相反。16. 如申请专利范围第12项或13项之金属绝缘半导体结构,其中在背对着汲极区(1)之半导体基片(8)的平面上有一汲极电极(D)。17. 如申请专利范围第1项或2项之金属绝缘半导体结构,绝缘体区(5)以氧化物为材料。18. 如申请专利范围第17项之金属绝缘半导体结构,其中绝缘体区(5)的氧化物系经由热作用而形成。图示简单说明:图1:金属绝缘半导体结构平面图。图2:具有和负极汲极区相邻之基板区正极转换区的金属绝缘半导体结构。图3:经由三次离子移植后所形成的金属绝缘半导体结构掺杂剖面图。图4:具有一作为基板区之正极层的金属绝缘半导体结构。图5:被扩展成MISFET或IGBT的金属绝缘半导体结构。 |
