首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 MOS TRANSISTOR, AND PRODUCTION OF LAYERS FOR THAT TYPE OF TRANSISTOR
摘要
申请公布号 EP0946987(A1) 申请公布日期 1999.10.06
申请号 EP19970952726 申请日期 1997.12.08
申请人 INSTITUT FUER HALBLEITERPHYSIK FRANKFURT (ODER) GMBH 发明人 LIPPERT, GUNTHER;OURMAZD, ABBAS;OSTEN, HANS-JOERG
分类号 H01L29/78;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336;(IPC1-7):H01L29/49;H01L29/08;H01L21/331 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com