| 发明名称 | 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用化学清洗方法将Si衬底表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤2：将处理干净的Si衬底放入沉积设备中，蒸发一层金属缓冲层；步骤3：将覆盖金属缓冲层的Si衬底放入生长设备中，生长ZnO同质缓冲层；步骤4：在ZnO同质缓冲层上生长ZnO薄膜，完成在Si衬底上ZnO薄膜的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN101388346A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200710121659.2 | 申请日期 | 2007.09.12 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 崔军朋;段垚;王晓峰;曾一平 |
| 分类号 | H01L21/36(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用化学清洗方法将Si衬底表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤2：将处理干净的Si衬底放入沉积设备中，蒸发一层金属缓冲层；步骤3：将覆盖金属缓冲层的Si衬底放入生长设备中，生长ZnO同质缓冲层；步骤4：在ZnO同质缓冲层上生长ZnO薄膜，完成在Si衬底上ZnO薄膜的制备。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||