发明名称 电子元件之特性测定装置
摘要 在针对于彼此对向之端部分别形成有外部端子电极之晶片状电子元件进行电气特性测定时,因分别与外部端子电极接触之测定端子所产生之浮动电容,会因电子元件之尺寸偏差而变动,因此产生测定误差。在使第1及第2外部端子电极2、3分别朝向收纳空间5的第1及第2开口端6、7侧的状态下保持电子元件4之保持具14,设置穿过第1及第2测定端子9、10间而延伸之屏蔽层15,使屏蔽层15与测定基准电位16形成电气连接。藉由屏蔽层15,来减低寄生于电子元件4附近之浮动电容,抑制因电子元件4之尺寸偏差所造成之测定误差。
申请公布号 TWI223084 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092104372 申请日期 2003.03.03
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 冈嘉一
分类号 G01R31/00 主分类号 G01R31/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种电子元件之特性测定装置,系用来测定在彼此对向之第1及第2端部分别形成有第1及第2外部端子电极之晶片状电子元件的电气特性;其特征在于,具备:保持具,系具有用以收纳该电子元件之收纳空间,并且在使该第1及第2外部端子电极分别朝向该收纳空间之彼此对向之第1及第2开口端侧的状态下,来保持该电子元件;以及第1及第2测定端子,系设置在该收纳空间之第1及第2开口端位置,并分别与该电子元件之第1及第2外部端子电极接触;该保持具系具备由导电性材料所构成之屏蔽层(以穿过该第1及第2测定端子间的位置的方式延伸),该屏蔽层系与测定基准电位形成电气连接。2.如申请专利范围第1项之电子元件之特性测定装置,其中,该保持具,具有可逐一收纳该电子元件之复数个该收纳空间,该保持具可相对于该第1及第2测定端子进行移动,以使该第1及第2测定端子与收纳于各该收纳空间内之各电子元件的第1及第2外部端子电极依序接触。3.如申请专利范围第2项之电子元件之特性测定装置,其中,该保持具为圆板状,复数个该收纳空间系排列成沿该保持具之圆周方向分布,藉由该保持具之旋转,以使该第1及第2测定端子与收纳于各该收纳空间之各该电子元件之第1及第2外部端子电极依序接触。4.如申请专利范围第3项之电子元件之特性测定装置,其中,复数对之该第1及第2测定端子,系设置成沿该保持具的圆周方向分布。5.如申请专利范围第4项之电子元件之特性测定装置,其中,该屏蔽层系以沿该保持具之圆周方向分布的方式分割成复数个部分,在所分割之该屏蔽层的各个部分,至少设置1个该收纳空间。6.如申请专利范围第2至5项中任一项之电子元件之特性测定装置,其中,该第1及第2测定端子之至少一方,系具备边接触对应之外部端子电极边转动之滚轮。7.如申请专利范围第2至5项中任一项之电子元件之特性测定装置,其中,该保持具可移动,在该保持具,将与该屏蔽层形成电气连接之屏蔽导电面设置成露出的状态,且为了供应该测定基准电位而进一步具备与该屏蔽导电面接触之屏蔽端子。8.如申请专利范围第6项之电子元件之特性测定装置,其中,该保持具可作移动,在该保持具,将与该屏蔽层形成电气连接之屏蔽导电面设置成露出的状态,且为了供应该测定基准电位而进一步具备与该屏蔽导电面接触之屏蔽端子。9.如申请专利范围第7项之电子元件之特性测定装置,其中,该屏蔽导电面系藉由该屏蔽层之一部分来构成。10.如申请专利范围第8项之电子元件之特性测定装置,其中,该屏蔽导电面系藉由该屏蔽层之一部分来构成。图式简单说明:图1系用来说明本发明之原理,图解性地表示电子元件之特性测定装置13的主要部分之截面图。图2系将本发明第1实施形态之电子元件之特性测定装置21所具备之保持具22与第1测定端子28及屏蔽端子35同时表示之俯视图。图3系表示将图2所示之电子元件之特性测定装置21所具备之第1及第2测定端子28及29、及屏蔽端子35之放大前视图,以及将保持具22之局部放大截面图表示。图4系用来说明本发明之第2实施形态,表示第1及第2测定端子28及29之放大前视图,以及保持具22之局部放大截面图。图5系用来说明本发明之第3实施形态之相当于图4部分。图6系用来说明本发明之第4实施形态之相当于图4部分。图7系用来说明本发明之第5实施形态,表示屏蔽端子35之放大前视图,以及保持具22之外周部放大截面图。图8系用来说明本发明之第6实施形态之保持具22a之俯视图。图9系用来图解性地表示与本发明相关之习知电子元件之特性测定装置1的主要部分之截面图。
地址 日本
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