发明名称 ION SOURCE OF ION IMPLANTER FOR FABRICATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050111820(A) 申请公布日期 2005.11.29
申请号 KR20040036711 申请日期 2004.05.24
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, BYUNG HYUN;LEE, HA SUNG
分类号 H01J37/30;(IPC1-7):H01J37/30 主分类号 H01J37/30
代理机构 代理人
主权项
地址