| 发明名称 | 氧化锌系化合物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在发出400nm以下的短波长的光时，使叠层的半导体层的结晶性提高从而使内部量子效率提高，并且通过使发出的光尽可能不被基板等吸收而将其取出到外部，使外部量子效率也提高，从而能够综合地提高发光效率的结构的半导体发光元件。当在基板(1)上以形成发出400nm以下波长的光的发光层形成部(7)的方式叠层ZnO系化合物半导体层(2～6)时，使用由Mg<SUB>x</SUB>Zn<SUB>1－x</SUB>O(0＜x≤0.5)构成的基板作为基板(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN101147269A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200680009529.3 | 申请日期 | 2006.03.23 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中原健 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/327(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种氧化锌系化合物半导体发光元件，其为在基板上以形成发出400nm以下波长的光的发光层形成部的方式叠层ZnO系化合物半导体层的氧化锌系化合物半导体发光元件，其特征在于：使用由MgxZn1-xO(0＜x≤0.5)构成的基板作为所述基板。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||