发明名称 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷CuBi<sub>2</sub>V<sub>2</sub>O<sub>9</sub>
摘要 本发明公开了一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷CuBi<sub>2</sub>V<sub>2</sub>O<sub>9</sub>及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的CuO、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>的原始粉末按CuBi<sub>2</sub>V<sub>2</sub>O<sub>9</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在750~800℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在800℃以下烧结良好,介电常数达到17.1~18.3,其品质因数Qf值高达72000-97000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
申请公布号 CN105693232A 申请公布日期 2016.06.22
申请号 CN201610089660.0 申请日期 2016.02.18
申请人 桂林理工大学 发明人 方维双;邓酩;李纯纯
分类号 C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/453(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷,其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为:CuBi<sub>2</sub>V<sub>2</sub>O<sub>9</sub>;所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为:(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的CuO、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>的原始粉末按CuBi<sub>2</sub>V<sub>2</sub>O<sub>9</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在750~800℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。
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