| 主权项 |
1. 一种动态随机存取记忆体之电容结构的制造方法,适用于一基底,其包括下列步骤:(a) 于上述基底上形成有场氧化物,电晶体元件,及一第一绝缘层,其中每一电晶体元件均包括一闸极和源/汲极区;(b) 于上述第一绝缘层上依序形成至少一第一导电层、一金属矽化物层、及一第二绝缘层;(c) 于上述第一绝缘层,第一导电层,金属矽化物层,及第二绝缘层之既定位置形成连通至上述基底的接触窗;(d) 于上述接触窗及基底上形成第二导电层,然后去除上述第二绝缘层;(e) 于上述第二导电层两侧与上述金属矽化物层上形成一间隔层,其中,该间隔层系由至少一绝缘层与一导电层依序交互排列而成;(f) 去除间隔层之绝缘层;(g) 蚀刻定义上述第一导电层、金属矽化物层、第二导电层、及间隔层之导电层的图案以形成该电容结构的下电极层;(h) 在上述下电极层表面上形成一介电质层;及(i) 在该介电质层表面上形成一第三导电层以构成上电极层,进而完成该电容结构的制造。2. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(a)之第一绝缘层为厚度介于3000至10000埃的四乙氧基矽甲烷层。3. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(b)之第一导电层是一厚度介于500埃至2000埃的复晶矽层。4. 如申请专利范围第1项所述之金属矽化物层,是一厚度介于500埃至2000埃的矽化钨层。5. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(b)之第二绝缘层,是一厚度介于4000埃至8000埃的氧化物层。6. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(d)之第二导电层是一复晶矽层。7. 如申请专利范围第1项或第5项所述之制造方法,其中,上述步骤(d)之第二绝缘层,可用稀释的氢氟酸溶液蚀刻去除。8. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(e)之间隔层,可以利用沈积法和回蚀刻程序形成,同时蚀刻终止于上述金属矽化物层。9. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(e)之间隔层中之绝缘层,是一厚度介于500埃至2000埃的氧化物层。10. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(e)之间隔层中之导电层,是一厚度介于500埃至2000埃的复晶矽层。11. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(i)之介电质层的材料为,选自氧化物/氮化物,氮化物/氧化物,氧化物/氮化物/氧化物,氧化钽,钛酸钡,及钛酸锶所成之群体者。12. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(i)之第三导电层是一复晶矽层13. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其特征在于制造一呈多层环形壁的电容结构。图示简单说明:第1图是习知叠层式电容结构的剖面示意图;第2图至第4图分别是三种习知改良的叠层式电容结构的剖面示意图;第5A图至5E图是剖面示意图,绘示根据本发明方法一较佳实施例的制造流程;以及第6图是根据本发明方法所制得之动态随机存取记忆体的 |
