| 主权项 |
1. 一种动态随机存取记忆体之电容结构的制造方法,适用于一基底,其包括下列步骤:(a) 于上述基底上形成有场氧化物,电晶体元件,及一第一绝缘层,其中每一电晶体元件均包括一闸极和源/汲极区;(b) 于上述第一绝缘层上依序形成至少一第一导电层及一第二绝缘层,其中,该第二绝缘层包括一上绝缘层和一下绝缘层;(c) 于上述第一绝缘层,第一导电层,及第二绝缘层的既定位置形成连通至上述基底的接触窗;(d) 于上述接触窗上形成第二导电层及去除上述第二绝缘层之上绝缘层;(e) 于上述第二导电层两侧与上述第二绝缘层中之下绝缘层上形成一间隔层,其中,该间隔层系由至少一绝缘层与一导电层依序交互排列而成;(f) 将上述间隔层之绝缘层回蚀刻成凹槽,以使上述第二导电层及间隔层构成一具凹槽的多层环形壁;(g) 于上述具凹槽的多层环形壁上形成一第三导电层,并蚀刻该环形壁及第二绝缘层中之下绝缘层以定义该电容结构所需的图案;(h) 去除上述第二绝缘层中之下绝缘层及间隔层中之绝缘层;(i) 对上述第一导电层进行非等向性蚀刻,并由上述第一导电层、第二导电层、第三导电层及间隔层之导电层共同构成容结构的下电极层;(j) 在上述下电极层表面上形成一介电质层;及(k) 在该介电质层表面上形成一第四导电层以构成上电极层,进而完成该电容结构的制造。2. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(a)之第一绝缘层是一厚度介于3000至10000埃的四乙氧基矽甲烷层。3. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(b)之第一导电层是一厚度介于200埃至2000埃的复晶矽层。4. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(b)之第二绝缘层中之下绝缘层,是一厚度介于500埃至2000埃的氮化物层。5. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(b)之第二绝缘层中之上绝缘层,是一厚度介于4000埃至8000埃的氧化物。6. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(d)之第二导电层是一复晶矽层。7. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(e)之间隔层中之绝缘层,是一厚度介于500埃至2000埃的氧化物层。8. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(e)之间隔层中之导电层,是一厚度介于500埃至2000埃的复晶矽层。9. 如申请专利范围第1项或第5项所述之制造方法,其中,上述步骤(d)之第二绝缘层中之上绝缘层,是以稀释的氢氟酸溶液蚀刻去除的。10. 如申请专利范围第1项或第7项所述之制造方法,其中,上述步骤(f)之间隔层中之绝缘层,可藉含氟化物的乾蚀刻法或以稀释的氢氟酸溶液浸泡以蚀刻成一凹槽。11. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(g)之第三导电层为一复晶矽层,其可与上述之凹槽嵌合。12. 如申请专利范围第1项或第4项所述之制造方法,其中,上述步骤(h)之第二绝缘层中之下绝缘层,是以热磷酸溶液蚀刻去除的。13. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(h)之间隔层中之绝缘层,是以稀释的氢氟酸溶蚀刻去除的。14. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(j)之介电质层的材料为,选自氧化物/氮化物,氧化物/氮化物/氧化物、氧化钽、钛酸钡、及钛酸锶所成之群体者。15. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述步骤(k)之第四导电层是一复晶矽层。16. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其特征在于制造一具有呈伞形电极层的电容结构。图示简单说明:第1图是习知叠层式电容结构的剖面示意图;第2图至第4图分别是三种习知改良的叠层式电容结构的剖面示意图;第5A图至5E图是剖面示意图,绘示根据本发明方法一较佳实施例的制造流程;以及第6图是根据本发明方法所制得之动态随机存取记忆体的 |
