| 主权项 |
1. 一种羰基化作用之触媒系统,其系;(A)一种触媒系统,包括(A1)元素周期表之Ⅶ族金属源,该金属源系支撑于一载体者,(A2)配位子及(A3)酸,或(B)一种触媒系统,包括(B1)钯以外之元素周期表之Ⅶ族金属源,(B2)下式(Ib)所示之配位子,及(B3)具有相对于经氘化之甲醇D之电子授予能力D不小于2之电子予体化合物:式中,A为磷原子、砷原子或锑原子;及R@su1.R@su2及R@su3各为氢原子、任意经取代之烷基、任意经取代之烯基、任意经取代之炔基、任意经取代之环烷基或任意经取代之芳基、或R@su2与R@su3可一起形成任意经取代之伸烷基,但R@su1至R@su3不同时为氢原子。2. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,触媒系统(A)中之该Ⅶ族金属源(A1)系至少一种选自钴、镍、铑、钯及铂、或该金属之化合物等之组群者。3. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,触媒系统(A)之载体系至少一种选自活性炭、金属氧化物、非金属氧化物及粘土矿物等之组群者。4. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,该触媒系统(A)中之载体系具有10-3,000m@su2/g之比表面积者。5. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,Ⅶ族金属源(A1)于该触媒系统(A)上的支撑量系相对于载体重之0.01-20%者。6. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,该触媒系统(A)中之配位子(A2)系至少一种选自磷化合物、砷化合物及锑化合物之组群者。7. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,该触媒系统(A)中之配位子(A2)系三级有机膦或三级有机砷者。8. 如申请专利范围第7项之羰基化作用之触媒系统,其中,该三级有机膦或三级有机砷系具有芳基、经取代之芳基或含氮原子作为杂原子之芳族杂环基者。9. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,触媒系统(B)之该Ⅶ族金属源(B1)系至少一种选自铂、钴、镍及铑或该金属化合物等之组群者。10. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,触媒系统(B)系包括式(Ib)中A为磷原子之配位子(B2)者。11. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,该触媒系统(B)之配位子(B2)系式(Ib)中R@su1至R@su3之至少一者为芳基或经取代之芳基者。12. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,该触媒系统(B)之配位子(B2)系三级有机膦者。13. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,该触媒系统(B)之该电子予体化合物(B3)系至少一种选自胺、亚胺、醯胺、醚、酮、酯类、内脂、醛类、亚、 类、硝基化合物、芳族烃类及脂族烃类之组群者。14. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,触媒系统(B)中之电子予体化合物(B3)系包括至少一种选自胺、亚胺及醯胺等组群之硷性化合物者。15. 如申请专利范围第14项之羰基化作用之触媒系统,其中,该触媒系统(B)之电子予体化合物(B3)系进一步包括醚或酯者。16. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,触媒系统(B)中之电子予体化合物(B3)系二级胺或三级胺者。17. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,触媒系统(B)之该电子予体化合物(B3)具有之电子授予能力D相对于经氘化之甲醇D系30-250者。18.如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,触媒系统(B)系包括(B1)铂化合物、(B2)具有至少一个芳基或经取代之芳基之三级有机膦及(B3)具有相对于经氘化之甲醇D的电子授予能力D为50-250之电子予体化合物者。19. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,该电子予体化合物(B3)系杂环胺或烷醇胺者。20. 如申请专利范围第1项之羰基化作用之触媒系统,其中,触媒系统(B)系进一步地包括(B4)酸者。21. 如申请专利范围第1或20项之羰基化作用之触媒系统,其中,该酸(A3)或(B4)系质子酸或路易氏(Lewis)酸者。22. 如申请专利范围第21项之羰基化作用之触媒系统,其中,该质子酸系至少一种选自芳基磺酸、烷基磺酸、羧基磺酸、氢卤酸、硫酸、硝酸、磷酸及过卤酸之组群者。23. 一种羰基化作用之触媒系统,包括:(A)下列各项之组合:(A1)钯源,该钯源系经支撑于比表面积为100-2000m@su2/g之载体者,(A2)三级有机膦或三级有机砷及(A3)质子酸,或(B)下列各项之组合:(B1)钯化合物,(B2)三级有机膦,该三级有机膦至少具有一种芳基或经取代之芳基,但不具有含氮之杂环基,(B3)具有相对于经氘化之甲醇D之电子授予能力D不小于2之电子予体化合物,及(B4)质子酸。24. 一种羰基化作用之方法,包括使乙炔属不饱和化合物或烯属不饱和化合物于下列物质存在下与一氧化碳反应:(A)一种触媒系统,包括(A1)元素周期表之Ⅶ族金属源,该金属源系支撑于一载体者,(A2)配位子及(A3)酸,或(B)一种触媒系统,包括(B1)钯以外之元素周期表之Ⅶ族金属源,(B2)下式(Ib)所示之配位子,及(B3)具有对于经氘化之甲醇D之电子授予能力D不小于2之电子予体化合物。式中,A为磷原子、砷原子或锑原子;及R@su1.R@su2及R@su3各为氢原子、任意经取代之烷基、任意经取代之烯基、任意经取代之炔基、任意经取代之环烷基或任意经取代之芳基、或R@su2与R@su3可一起形成任意经取代之伸烷基,但R@su1至R@su3不同时为氢原子。25. 如申请专利范围第24项之羰基化作用之方法,其中,该不饱和化合物系-乙炔属化合物或-烯属化合物者。26. 如申请专利范围第24项之羰基化作用之方法,其中,系使该乙炔属不饱和化合物或烯属不饱和化合物与一氧化碳及具有可于反应中释出氢原子之亲核性化合物反应者。27. 如申请专利范围第26项之羰基化作用之方法,其中,该亲核性化合物系至少一种选自水,具羟基之化合物及羧酸之组群者。28. 如申请专利范围第27项之羰基化作用之方法,其中,该具有羟基之化合物系醇类者。29. 一种方法,包括:于下列触媒系统存在下,使(a)非对称性乙炔属或烯属不饱和化合物,与(b)一氧化碳及(c)至少一种选自水,具有1-20个碳原子之醇类及具有1-20个碳原子之羧酸之化合物反应,其中该触媒系统为:(A)一种羰基化作用之触媒系统,包括(A)元素周期表之Ⅶ族金属源,该金属源系支撑于一载体者,(A2)配位子及(A3)酸,或(B)一种羰基化作用之触媒系统,包括(B1)钯以外之元素周期表之Ⅶ族金属源,(B2)下式(Ib)所示之配位子,及(B3)具有相对于经氘化之甲醇D之电子授予能力D不小于2之电子予体化合物。式中,A为磷原子、砷原子或锑原子;及R@su1.R@su2及R@su3各为氢原子、任意经取代之烷基、任意经取代之烯基、任意经取代之炔基、任意经取代之环烷基或任意经取代之芳基、或R@su2与R@su3可一起形成任意经取代之伸烷基,但R@su1至R@su3不同时为氢原子。30. 一种制造,-乙烯属不饱和羧酸或其衍生物之方法,包括使(a)-乙炔属烃类于下列触媒系统存在下与(b)一氧化碳及(c)至少一种选自水、醇类及羧酸之亲核性化合物反应,该触媒系统为:(A)一种羰基化作用之触媒系统,包括(A1)元素周期表之Ⅶ族金属源,该金属源系支撑于载体者,(A2)三级有机膦或三级有机砷,及(A3)质子酸之组合,或(B)一种羰基化作用之触媒系统,包括(B1)钯化合物,(B2)具有芳基或经取代之芳基但不含杂环基之三级有机膦,( |
