| 主权项 |
1. 一种以半绝缘复晶矽做为高阻値负载元件的制造方法,包括:(a) 提供一半导体基底,具有一第一导电层于其表面;(b) 形成一绝缘层覆盖该第一导电层;具有一开口露出该导电层;(c) 形成一半绝缘复晶矽层于该绝缘层上,经由该开口与该第一导电层相接触;(d) 形成一罩幕层覆于该半绝缘复晶矽层上,具有既定图案覆盖预订做为一负载元件之该半绝缘复晶矽层的部份区域;以及(e) 掺植杂质于未被该罩幕层覆盖之该半绝缘复晶矽层内,形成浓掺植区。2. 如申请专利范围第1项所述之该以半绝缘复晶矽做为高阻値负载元件的制造方法,其中,该半绝缘复晶矽层是由SiH@ss4及N@ss2O气体,藉由化学气相沈积法于温度约为600至700℃间而得。3. 如申请专利范围第1项所述之该以半绝缘复晶矽做为高阻値负载元件的制造方法,其中,该罩幕层是由与氧化矽物间具有明显蚀刻选择率的物质组成。4. 如申请专利范围第3项所述之该以半绝缘复晶矽做为高阻値负载元件的制造方法,其中,该罩幕层是氮化矽层经蚀刻处理后而得。5. 如申请专利范围第1项所述之该以半绝缘复晶矽做为高阻値负载元件的制造方法,其中,尚包括:(f)形成第二导电层于该等浓掺植区上。6. 如申请专利范围第5项所述之该以半绝缘复晶矽做为高阻値负载元件的制造方法,其中,该第二导电层是钨金属层,系由钨的选择性沈积而得。7. 如申请专利范围第5项所述之该以半绝缘复晶矽做为高阻値负载元件的制造方法,其中,该第二导电层是钛金属矽化物,系经自动对准金属矽化物的形成方法而得。8. 如申请专利范围第1项所述之该以半绝缘复晶矽做为高阻値负载元件的制造方法,其中,该第一导电层是由经杂质掺植之复晶矽物所构成。9. 如申请专利范围第1项所述之该以半绝缘复晶矽做为高阻値负载元件的制造方法,其中,该绝缘层是以化学气相沈积得之一氧化矽层。图示简单说明:第1A-1C图所示为习知之负载元件的制程剖面图;第2A-2D图所示为根据本发明一较佳实施例的流程剖面图;以及 |
