| 发明名称 | 磁性随机存储器器件的成形方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成磁性随机存储器(MRAM)的方法以及由此得到的结构，该磁性随机存储器采用了位于存储单元(10)顶上的牺牲性的盖帽层(20)。多个带有盖帽层(20)的单独磁性存储器件(10)在基板上形成。连续的第一绝缘层(20，22)沉积在基板和磁性存储器件之上。至少除去第一绝缘层在磁性存储器件(10)之上的部分，然后有选择性地从磁性存储器件(10)中除去盖帽层(20)，从而暴露出磁性存储器件(10)的活性顶面。磁性存储器件(10)的顶面凹陷到第一绝缘层(22)的顶面以下。形成与磁性存储器件(10)的活性顶面接触的顶部导体。图示的实施方案中，在沉积第一绝缘层(20，22)之前，沿着磁性存储器件(10)的侧面还形成有隔离片(36)。 | ||
| 申请公布号 | CN100338700C | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN03811541.7 | 申请日期 | 2003.04.21 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | 马克斯·海因曼;卡伦·西里奥里尼;布拉德·J·霍华德 |
| 分类号 | H01F41/30(2006.01);G11C11/16(2006.01) | 主分类号 | H01F41/30(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种磁性随机存储器的成形方法，包括：在基板上设置磁性存储层的叠层；在所述磁性存储层上沉积盖帽层；去除所述盖帽层和磁性存储层区域，从而限定多个带有盖帽层的单独磁性存储器件；通过在限定多个单独的磁性存储器件之后在所述磁性存储器件和所述基板上沉积隔离片材料层，在所述磁性存储器件周围形成隔离片，然后通过各向异性蚀刻来蚀刻所述隔离片材料；在所述基板和所述磁性存储器件上设置连续的第一绝缘层；至少除去在所述磁性存储器件上的所述第一绝缘层部分；从所述磁性存储器件选择性地除去盖帽层，从而暴露出所述磁性存储器件的活性顶面；以及成形与所述磁性存储器件的活性顶面相接触的顶部导体。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||