| 主权项 |
1. 一种用来改善气态混合物之装置,该装置包含:(a) 单一物体,其具有输入端、输出端、以及许多由输入端延伸至输出端之小室,该衆多小室彼此由多孔性壁板所隔离,在断面中每一个装填状态小室至少有一个空的小室与其相邻;及(b) 填充材料,其由非导电性活性粉末材料所构成,装填于一部份小室内,在其中每一个装填小室体积至少80%装填该填充材,其余小室并不含有该填充材料以及为空的状态,在其中气态混合物由输入端进入单一物体经由空的小室,以及至少部份气态混合物通过多孔性壁板以及组成份受到活性材料作用而改善,以及所生成改善之混合物通过空的小室以及在输出端排离物体,而活性粉末材料至少为一种触媒材料或吸附材料中所选择出之材料。2.依据申请专利范围第1项之装置,其中在断面中装填小室与空的小室交替更迭。3. 依据申请专利范围第1项之装置,其中活性粉末材料为吸附材料所构成。4. 依据申请专利范围第3项之装置,其中吸附材料为至少一种碳氢化合物吸附剂。5. 依据申请专利范围第4项之装置,其中吸附材料由分子筛、活性碳及其混合物所构成之种类中选取出。6. 依据申请专利范围第5项之装置,其中分子筛包含至少一种由下列种类中选出:沸石、碳分子筛、磷酸金属盐类、矾土磷酸盐、矽矾土磷酸石及其混合物。7. 依据申请专利范围第6项之装置,其中沸石是由五矽型式沸石、八面型式沸石、丝光沸石、沸石及其组合物种类中选取出。8. 依据申请专利范围第7项之装置,其中沸石是由超稳定Y、ZSM型式及其组合物种类中选取出。9. 依据申请专利范围第4项之装置,其中活性粉末材料包含一种作为碳氢化合物转化用之氧化触媒。10. 依据申请专利范围第4项之装置,其中至少一些空的小室被触媒化而具有三向触媒。11. 依据申请专利范围第1项之装置,其中活性粉末材料由触媒材料所构成。12. 依据申请专利范围第11项之装置,其中触媒材料由选择性还原触媒所构成。13. 依据申请专利范围第1项之装置,其中单一物体为蜂巢结构体。14. 依据申请专利范围第1项之装置,其中物体小室总数之75%装填活性粉末材料,以及小室总数之25%并不具有填充材料以及为空的状态。15. 一种用来改善气态混合物之系统,其包含:(a) 第一装置,其包含单一物体,该物体具有输入端、输出端、许多由输入端延伸至输出端之小室,该衆多小室彼此由多孔性壁板所隔离;及填充材料,其由非导电性活性粉末料所构成,装填于一部份小室内,在其中每一个装填小室体积至少80%装填该填充材,其余小室并不含有该填充材料以及为空的状态,在其中气态混合物由输入端进入第一装置经由输入端以及藉由活性材料改善以产生经过改善之混合物,而后该改善之混合物排出第二装置于出口端;(b) 第二装置,放置于第一装置下游,以及包含单一物体,其具有输入端、输出端、许多由输入端延伸至输出端之小室、具有触媒之第二装置物体,使得由第一装置排离之经过改善混合物在输入端进入第二装置物体内以及由第二装置触媒作进一步改善以产生更进一步改善之混合物在输出端排离第二装置,其中活性粉末材料至少为一种触媒材料或吸附材料中所选择出之材料。16. 依据申请专利范围第15项之系统,其中活性粉末材料为吸附材料。17. 依据申请专利范围第16项之系统,其中吸附材料为一种碳氢化合物吸附剂。18. 依据申请专利范围第16项之系统,其中第二装置触媒为三向触媒。19. 依据申请专利范围第15项之系统,其中单一物体为蜂巢结构体。图示简单说明:图1为一示意图,显示出本发明之装置,其含有许多小室,每隔一个小室装填以填充材料。图2为一示意图,显示出本发明装置之平面图,其75%之小室装填以填充材料。图3a为一示意图,显示出单一装置及导管系统。图3b为一示意图,显示出两组装置及导管系统。图4为一示意图,显示出吸附发生于本发明装置含有填充材料之小室中。图5为一示意图,显示出释出作用发生于本发明装置含有填充材料之小室中。图6为每隔一小室填充以沸石装置中含有丙烯气态混合物之碳氢化合物吸附-释出与时间及温度之关系曲线图。图7为含有丙烯气态混合物之碳氢化合物吸附-释出与时间及温度之关系曲线图,在装置中具有如图6含有填充材料 |
