发明名称 电容结构及其制作方法
摘要 一种电容结构,其包括一基底、一第一金属层、一蚀刻终止层、一连接层、一第二金属层与一绝缘层。第一金属层配置于基底中。蚀刻终止层配置于基底上,其中蚀刻终止层具有一开口,此开口暴露出部分第一金属层。连接层配置于开口与部分蚀刻终止层之表面。第二金属层配置于连接层上。绝缘层配置于第二金属层与连接层之间。
申请公布号 TW200737296 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW095109412 申请日期 2006.03.20
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 蔡明轩
分类号 H01L21/027(2006.01);H01L29/02(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号