发明名称 | 电容结构及其制作方法 | ||
摘要 | 一种电容结构,其包括一基底、一第一金属层、一蚀刻终止层、一连接层、一第二金属层与一绝缘层。第一金属层配置于基底中。蚀刻终止层配置于基底上,其中蚀刻终止层具有一开口,此开口暴露出部分第一金属层。连接层配置于开口与部分蚀刻终止层之表面。第二金属层配置于连接层上。绝缘层配置于第二金属层与连接层之间。 | ||
申请公布号 | TW200737296 | 申请公布日期 | 2007.10.01 |
申请号 | TW095109412 | 申请日期 | 2006.03.20 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡明轩 |
分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L29/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |