| 主权项 |
1、一种电阻加热垂直多坩埚下降法晶体生长系统，包括晶体炉(1)、坩埚装置(19)、晶体台(17)和温度控制装置(18)，其中晶体炉(1)包括炉体、发热体(2)和炉膛(3)，坩埚装置(19)位于晶体台(17)上，用于置放生产晶体的原料，晶体台(17)位于晶体炉(1)下方，在其自带的升降装置控制下能做垂直升降运动，将晶体台(17)上的装有原料的坩埚装置(19)送入晶体炉(1)炉膛(3)内，温度控制装置(18)通过线缆连接发热体(2)，其特征是：所述的晶体炉(1)炉体从外到内包括外壳(4)、保温棉(5)、保温砖层(6)、耐火层(7)、摩根砖(8)、工字砖层(9)和炉体支撑架(11)，其中耐火层位于炉膛附近高温区，摩根砖(8)位于炉膛中下部；所述的坩埚装置(19)包括导向管(20)、保温粉(21)、坩埚(22)、坩埚(22)内的熔体(23)以及籽晶(24)和正在生长的晶体(25)；所述的温度控制装置包括单片机(12)、可控硅(13)、温度传感器(14)和变压器(15)，其中单片机通过稳压器(16)上的电源线接入电源，并通过信号线连接置于晶体炉(1)炉膛(3)内的温度传感器(14)，及通过数据线连接计算机，受计算机程序控制，可控硅(13)通过信号线从单片机(12)接入控制信号，通过电源线连接变压器(15)输出控制，变压器(15)通过电缆连接晶体炉(1)上的发热体(2)。 |
