半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种具有以氢扩散阻挡膜覆盖的层间绝缘膜的半导体器件的制造方法。在半导体衬底上形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于层间绝缘膜材料的材料制成。对形成有层间绝缘膜和氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理。在形成层间绝缘膜的过程中，在水分含量等于或小于5×10^-3g/cm³的条件下形成层间绝缘膜。即使在形成氢扩散阻挡膜之后进行退火处理，也难以在下面的层间绝缘膜中形成裂缝。

主权项

1. 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)在半导体衬底上方形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜；(b)在该层间绝缘膜上方形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于该层间绝缘膜材料的材料制成；以及(c)对形成有该层间绝缘膜和该氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理，其中在步骤(a)中，在室压等于或高于930Pa的条件下，通过使用氧气或臭氧以及TEOS作为源材料进行等离子体增强CVD形成该层间绝缘膜。