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<p>Le dispositif de memoire a semi-conducteur se compose de transistors doubles a effet de champ du type a portes, chacun d'eux possedant une porte de commande (25), et une porte flottante (23) qui emmagasine les charges electriques. Le dispositif de memoire a semi-conducteur demande une disposition de structures reciproques, en particulier une structure adaptee pour injecter des charges dans la porte flottante du dispositif de memoire, et une structure adaptee pour sortie les informations stockees. A cet effet, le dispositif utilise un transistor d'injection seulement (TrW) avec une structure adaptee pour l'injection de charges et un transistor de lecture seulement (TrR) avec une structure adaptee a la lecture, les portes flottantes (23) des deux transistors etant couplees electriquement entre elles, leurs portes de commande (25) etant connectees a un premier cable de signaux commun, leurs debits (22W, 22R) etant connectes a des second et troisieme cables-signaux differents, respectivement, et leurs sources (21W, 21R) etant mises a la terre.</p> |
