| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA REALIZZAZIONE DI CELLE DI MEMORIA EEPROM A SINGOLO LIVELLO DI POLISILICIO E OSSIDO SOTTILE UTILIZZANDO OSSIDAZIONE DIFFERENZIALE. |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
IT8921619(D0) |
申请公布日期 |
1989.09.04 |
| 申请号 |
IT19890021619 |
申请日期 |
1989.09.04 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
PAOLO GHEZZI;CARLO RIVA;GRAZIA VALENTINI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/316;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
