非易失性存储器件及其形成方法

摘要

一种非易失性存储器件包括第一导电类型的半导体衬底、在半导体衬底上的多条字线，每一条字线包括第二导电类型的浮栅。地选择线和串选择线位于字线的各侧。第二导电类型的掺杂区位于与地选择线相邻的第一字线之下。该器件还可以进一步包括第二导电类型的第二掺杂区，其位于与串选择线相邻的第二字线之下。在其它实施方式中，该器件可以进一步包括第二导电类型的第三掺杂区，其位于第一字线和第二字线之间的各第三字线之下。而且还提供了形成此类器件的方法。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的多条字线，所述多条字线中的每一条包括第二导电类型的浮栅；位于所述字线的各侧的所述衬底上的地选择线和串选择线；以及位于与所述地选择线相邻的第一字线下面的第二导电类型的掺杂区。