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发明名称 Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics
摘要 증가된 항복 전압과 다른 이득들을 제공하는 특징들을 갖는 예시적인 전력 반도체 소자들이 제시된다.
申请公布号 KR101654250(B1) 申请公布日期 2016.09.05
申请号 KR20117015630 申请日期 2009.11.30
申请人 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 发明人 예디낙 조셉 에이.;샬라 애쇼크
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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