| 摘要 |
本発明は、多層バリスタデバイス（１００）を製造するための方法を提供する。本発明による方法は、複数の内部電極（３）を備えた多層バリスタデバイス（１００）用の基体（１）を準備するステップを備えている。本発明による方法は、さらにこの基体（１）に１つの銅電極層（４）用の出発材料を設けるステップを備え、この出発材料は、少なくとも１つの内部電極（３）と直接結合されており、またこの銅電極層（４）を形成するため、この出発材料を保護ガス雰囲気下で熱処理するステップを備える。さらに本発明は、多層バリスタデバイス（１００）を提供する。【選択図】 図１ |
