Halbleiterelement mit einer Isolierschicht,die eine Raumladung induzierende Ionen enthaelt,sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Elements,申请号DE19691949174-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Halbleiterelement mit einer Isolierschicht,die eine Raumladung induzierende Ionen enthaelt,sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Elements
摘要
申请公布号	DE1949174(A1)	申请公布日期	1970.05.14
申请号	DE19691949174	申请日期	1969.09.29
申请人	HITACHI LTD	发明人	IWAMATSU SEIICHI
分类号	H01L23/29;H01L29/00;(IPC1-7):01L1/10	主分类号	H01L23/29
代理机构		代理人
主权项
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