| 主权项 |
1. 一种萃取器装置,系用以自来源材料的再注满熔融物中生长高纯度的单晶,此来源材料置于生长高纯度单晶所用类型之熔炉的坩埚内,凭藉维持该熔融物中来源材料的纯度,此萃取器装置包括:包围出一个用以将熔融来源材料纳入其中的容器(36,136,236),其具一顶壁,底壁及侧壁;位于该容器中的绝热衬垫(64,164,264,74,174,274),此衬垫靠在容器壁上,使器壁与抽至容器的熔融来源材料隔离,该衬垫包括容器中冷冻来源材料经膨胀下可配合压缩的一层可压缩衬里(74,174,274),系供保护此衬垫免受损伤;与容器密接之包括一导入管(72,172,272)的导入装置,用以将熔融来源材料导入容器中,该导入管系以一种当部分该导入管溶入熔融物中时不会污染来源材料熔融物的半导体级石英玻璃制成,此导入管具有开启端,且包括大体上为圆柱形的内壁,以及与该内壁接合之大体上为圆柱形的外壁,该内外壁在其间圈限出一空间,外壁内具有排放自介于内外壁间空间的排放开孔;透过导入管自熔融物中抽出熔融来源材料以及将熔融来源材料引入容器内的真空来源及将容器连接至真空来源之装置(52,152)。2. 根据申请专利范围第1项之萃取器装置,另包括用以指示管状构成分子插入熔融物之预定深度的量测装置。3. 根据申请专利范围第2项之萃取器装置,其中该量测装置包括架在容器上且伸长至容器以下一段比管状构成分子略短之距离之棒状装置,将此容器朝熔融物降下且管状构成分子之一部份浸入熔融物中,直到该棒状构成分子的下端与熔融物接触为止。4. 根据申请专利范围第1项之萃取器装置,其中该真空来源系包括用以维持容器内真空压力之调压保护装置。5. 根据申请专利范围第4项之萃取器装置,其中该调压保护装置包括与容器相连通之槽,该槽具有一个大约为容器所包围体积之一百倍的容积。6. 根据申请专利范围第5项之萃取器装置,其中容器具有一个导出口而且其中该连接装置包括于导出处与容器连接并与真空压力来源连接之挠性导管装置。7. 根据申请专利范围第6项之萃取器装置,其中该挠性导管装置包括一段长度之不锈钢管。图示简单说明:图1系用以生产单结晶之熔炉之部分截面示意图,显示用以于熔炉中维持熔融来源材料之纯度之装置;图2(a)至(c)系以图形示意显示用以萃取一部分熔融来源材料之步骤;图3系装置之容器之纵向截面示意图;图4系第二个具体实施例之容器之截面示意图;图5系沿图3直线5-5所取之平面内管状构成分子之截面图;图6系第三个具体实施例之容器之纵向截面示意图;图7(a)至(b)系显示不使用本发明之方法及使用本发明之方法所制得结晶内碳不纯物浓度之图形;图8(a)至(b)系显示不使用本发明之方法及使用本发明之方法所制得结晶内铁不纯物浓度之图形;图9(a)至(b)系显示不使用本发明之方法及使用本发明之 |
