发明名称 半导体存储器件
摘要 一种半导体存储器件包括多个存储单元、行子译码器、行主译码器和减压装置。存储单元排列成矩阵形式。行子译码器选择存储单元的每行。行主译码器译码行地址信号并把控制信号输送给行子译码器。行主译码器是由至少一个具有PN结击穿电压的晶体管构成。减压装置在擦除操作期间降低PN结击穿电压。
申请公布号 CN1230751A 申请公布日期 1999.10.06
申请号 CN99103230.6 申请日期 1999.03.29
申请人 日本电气株式会社 发明人 天内正和
分类号 G11C16/00;H01L27/115 主分类号 G11C16/00
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;余朦
主权项 1.一种半导体存储器件,包括:排列成矩阵形式的多个存储单元;选择所述存储单元的每行的行子译码器;译码行地址信号并把控制信号输送给所述行子译码器的行主译码器,所述行主译码器是由至少一个具有PN结击穿电压的晶体管构成;和用于在擦除操作期间减少PN结电压的减压装置。
地址 日本东京