| 发明名称 | 生成氧化膜的连续干式/湿式/干式氧化法 | ||
| 摘要 | 一种生成氧化膜的连续干式/湿式/干式氧化方法，用于在基片上生成一个氧化膜。先采用一个第一干式氧化工艺，以致密化原生氧化膜。然后，采用一个湿式氧化工艺，以生成氧化膜。接着，进行一个第二干式氧化工艺，以降低俘获电荷密度。 | ||
| 申请公布号 | CN1531035A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN03119137.1 | 申请日期 | 2003.03.14 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 姚俊敏 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/31;H01L21/283 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种生成氧化膜的连续干式/湿式/干式氧化法，用于在一个基片上生成一个氧化膜，其特征在于，步骤包括：进行一道第一干式氧化工艺过程，以致密化原生氧化膜；进行一道湿式氧化工艺过程，以生成该氧化膜；以及进行一道第二干式氧化工艺过程，以降低俘获电荷密度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||