| 摘要 |
温度検出用ダイオード（１）の下部又は保護用のダイオード（２１，２２）の下部に容量成分領域を形成する。また、温度検出用ダイオード（１）とアノード電極パッド（３）とを接続するアノード金属配線（６）の下部、及び、温度検出用ダイオード（１）とカソード電極パッド（４）とを接続するカソード金属配線（７）の下部に容量成分領域を形成する。容量成分領域は、多結晶シリコン層間に挟まれた絶縁膜からなる。具体的には、半導体基板の第１主面上に、第１の絶縁膜、多結晶シリコンの導電層、第２の絶縁膜を順に積層し、第２の絶縁膜の上面に、多結晶シリコンの、温度検出用ダイオード（１）、保護用のダイオード（２１，２２）、アノード金属配線（６）又はカソード金属配線（７）を配置する。これにより、温度検出用ダイオード（１）又は保護用ダイオード（２１，２２）の静電耐量を向上させることができる。 |
