存储元件和存储装置

摘要

本发明公开了包括存储元件和存储装置，其中该存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于膜面的磁化；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间。在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化，并且对存储层执行信息记录，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，并且存储层和磁化固定层具有使界面磁各向异性能变得大于反磁场能的膜厚。

主权项

一种存储元件，包括：层结构，其中，所述层结构包括，存储层，具有垂直于膜面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化，磁化固定层，具有垂直于所述膜面并且成为在所述存储层中所存储的所述信息的基准的磁化，以及绝缘层，设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，并且由非磁性体构成，在所述层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而所述存储层的磁化方向变化，并且对所述存储层执行信息记录，所述存储层所接收的有效反磁场的大小小于所述存储层的饱和磁化量，并且所述存储层和所述磁化固定层具有使界面磁各向异性能变得大于反磁场能的膜厚。