| 发明名称 | 用于RRAM应用的Ir基材上PCMO薄膜的低温处理 | ||
| 摘要 | 一种在用于RRAM装置的铱基材上涂敷PCMO薄膜的方法，包括：制备基材；在基材上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铱层；在铱层上旋涂PCMO层；以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材；在RTP室中后烘退火该基材和PCMO层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到PCMO层具有需要的厚度；退火基材和PCMO层；沉积顶电极；和完成RRAM装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1531017A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN200410007398.8 | 申请日期 | 2004.03.02 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 张风燕;庄维佛;潘威;许胜籘 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/70;H01L21/3205;H01L45/00;H01C7/00;B32B31/00;B32B33/00 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1.一种在用于RRAM装置的铱基材上涂敷PCMO薄膜的方法，该方法包含：制备基材；在所述的基材上沉积阻挡层；在所述的阻挡层上沉积铱层；在所述的铱层上旋涂PCMO层；以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材；在RTP室内后烘退火所述的基材和所述的PCMO层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到所述的PCMO层具有需要的厚度；退火所述的基材和所述的PCMO层；沉积顶电极；和完成所述的RRAM装置。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||