PROCEDE POUR LA FORMATION PAR CROISSANCE DE COUCHES EN GAAS DE TYPE N PAR EPITAXIE A FAISCEAU MOLECULAIRE

摘要

PROCEDE POUR LA FORMATION PAR CROISSANCE D'UNE COUCHE EN GAAS DE TYPE N SUR UN SUBSTRAT PAR EPITAXIE A FAISCEAU MOLECULAIRE, L'AGENT DE DOPAGE ETANT CONSTITUE PAR S, SE OU TE. LA COUCHE S'OBTIENT A L'AIDE DE FAISCEAUX MOLECULAIRES DE GALLIUM, D'ARSENIC ET DE PBX QUI SONT DIRIGES SUR UN SUBSTRAT CHAUFFE, X REPRESENTANT S, SE OU TE.APPLICATION: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR.