结晶化半导体薄膜的制造方法及其制造装置

摘要

本发明之结晶化半导体薄膜的制造方法，是将脉冲放射之微细宽度的细缝状能量射束照射于半导体薄膜(5)，而使该能量射束的照射区域之上述半导体薄膜(5)溶融，凝固于厚度方向全域，藉此来进行结晶化之结晶化半导体薄膜的制造方法，其特征是对上述半导体薄膜(5)照射主射束(6)及副射束(7)，该副射束(7)具有比主射束(6)还要小的能量密度，且以能够紧邻上述主射束(6)之方式来照射。