矽绝缘体(SOI)晶圆之制造方法

摘要

本发明矽提供抑制发生在SOI(矽绝缘体)晶圆之孔隙，特别是发生在SOI(矽绝缘体)晶圆外围部之孔隙，生产性高的SOI(矽绝缘体)晶圆之制造方法。本发明系一种在原料晶圆之2片的晶圆中，于至少其中一方的晶圆形成绝缘层，不使用接着剂而与另一片的晶圆贴合的SOI(矽绝缘体)晶圆之制造方法，上述原料晶圆系使用晶圆外围部形状在外围10mm～3mm的范围内，形状变化幅度为0.1μm以下之晶圆。