| 主权项 |
1.一种半导体装置制程用之清洁剂组成物,其特征为,包含有以一般式[(R1)3N-R]+X-(R为C1-4烷基或C1-4羟基取代烷基,R1为C1-4烷基,X为无机酸或有机酸)所代表之第四级铵盐与氟化合物。2.如申请专利范围第1项之半导体装置制程用之清洁剂组成物,其中系包含有1-60重量%之一种以上选自醯胺类,内酯类,类,醇类,酯类之有机溶剂。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置制程用之清洁剂组成物,其中系含有1-60重量%之第四级胺盐与0.1-10重量%之氟化合物者。图示简单说明:[第一图]断面图表示实施例1于形成导电层后之半导体装置的构造。[第二图]断面图表示实施例1于形成掩蔽步骤终结时之构造。[第三图]断面图表示实施例1在导电层不被覆以光阻掩护领域(非掩护领域)由乾蚀刻剥取时之构造。[第四图]断面图表示实施例1经乾蚀刻后,将形成为掩护之电阻研磨及以有机溶剂加以清洗除去后之构造。[第五图]断面图表示实施例1使用本发明之半导体清洁剂,经清洗后第四图装置之构造。[第六图]断面图表示实施例4形成导电层后之半导体装置之构造。[第七图]断面图表示终结实施例4掩蔽形成步骤时之构造。的构造。[第八图]断面图表示实施例4导电层之光掩护非被覆领域以乾蚀刻加以剥取时之构造。[第九图]断面图表示关于实施例4经乾蚀刻后,将成为掩护之电阻经由研磨及以有机溶剂清洗除去后之构造。[第十图]断面图表示实施例4使用本发明之半导体清洁剂将第九图之半导体装置加以清洗后之构造。 |
