| 摘要 |
La présente invention fournit un cristal monocristallin semi-conducteur à base de nitrure comprenant du nitrure de gallium (GaN) ou du nitrure d'aluminium (AlN) que l'on met sous la forme d'un film pour avoir une bonne cristallinité sans former une couche de 3C-SiC sur un substrat en Si, et qui peut être utilisé de manière appropriée pour une diode électroluminescente, un élément émettant une lumière laser, un élément électronique pouvant fonctionner à vitesse élevée et à température élevée, etc., ainsi qu'un dispositif à haute fréquence.Un film monocristallin à base de GaN (0001) ou de AlN (0001), ou une structure en super réseau à base de GaN (0001) et de AlN (0001) est formé sur un substrat de Si (110) via une couche tampon à base de 2H-AlN.
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