光通讯互联TXV 3D集成封装及封装方法

摘要

本发明公开了一种光通讯互联TXV 3D集成封装及封装方法，解决现有技术工艺复杂、集成度低、工作频率受限的问题。其包括如下步骤：a、制作带通孔的芯片和不带通孔的芯片；b、在玻璃或硅等衬底上沉积金属层并图形化获得光路盖板；c、把光路盖板、带通孔的芯片、不带通孔的芯片进行对位、键合，完成3D集成封装。本发明可获得高深宽比的通孔，不需要芯片减薄、沉积通孔介质层和种子层、电镀金属填孔等工序，可极大地提高3D集成封装集成度、降低封装成本，而且避免了寄生电感、电容以及信号耦合问题，可极大地提高电子系统的工作频率。

主权项

光通讯互联TXV 3D集成封装，其特征在于，包括第一芯片（1），与第一芯片键合的第二芯片（2），所述第一芯片和第二芯片均包括不透光衬底，以及沉积于不透光衬底上的钝化层（9），嵌于钝化层中的发光器件（3）、光敏器件（4），用于键合外部引线的多个金属电极（8），与金属电极连接的实现内部电信号互联的金属引线（11）；所述第一芯片还包括位于钝化层中的实现内部互联的金属孔（6），所述第二芯片还包括实现第一芯片和第二芯片进行光通讯互联的通孔（5），位于第二芯片底部用于第一芯片和第二芯片键合的第二金属层（14），嵌于钝化层中的隔离金属柱（12）以及金属掩蔽层（13）；所述通孔采用深反应离子刻蚀或激光钻孔形成，通孔不填充任何材料，所述通孔延伸至第二金属层，通孔的直径为2μm ~ 10μm，深度与直径的比例为20~50，侧壁陡直度89°±1°。