N型薄膜晶体管

摘要

本发明涉及一种N型薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一栅极，所述栅极设置于所述绝缘基底的表面；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离绝缘基底的表面；一半导体碳纳米管层，所述半导体碳纳米管层设置于所述栅极绝缘层远离栅极的表面；一源极及一漏极，所述源极和漏极间隔设置，且分别与该半导体碳纳米管层电连接，源极与漏极之间的半导体碳纳米管层形成一沟道；一功能介质层，所述功能介质层设置于所述半导体碳纳米管层远离所述栅极绝缘层的表面；其中，进一步包括一氧化镁层，所述氧化镁层设置于所述半导体碳纳米管层与功能介质层之间，并分别与半导体碳纳米管层、功能介质层接触设置。

主权项

一种N型薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一栅极，所述栅极设置于所述绝缘基底的表面；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离绝缘基底的表面；一半导体碳纳米管层，所述半导体碳纳米管层设置于所述栅极绝缘层远离栅极的表面；一源极及一漏极，所述源极和漏极间隔设置，且分别与该半导体碳纳米管层电连接，源极与漏极之间的半导体碳纳米管层形成一沟道；一功能介质层，所述功能介质层设置于所述半导体碳纳米管层远离所述栅极绝缘层的表面；其特征在于，进一步包括一氧化镁层，所述氧化镁层设置于所述半导体碳纳米管层与功能介质层之间，并与所述半导体碳纳米管层接触设置。