| 主权项 |
1.一种提升可程式记忆胞内多晶矽层和闸氧化层品质之制程,该制程包含下列步骤:形成一内多晶矽介电层于一浮置闸上,其系为一底层二氧化矽层与一氮化矽层组合之介电材质;以一光阻定义出一闸氧化层成长区域;高选择性蚀刻该闸氧化层成长区域上之该内多晶矽介电层之该氮化矽层;以湿式蚀刻该闸氧化层成长区域上之该内多晶矽介电层之该底层二氧化矽层;以热氧化法形成一第一闸氧化层于一底材矽上;及以化学气相沈积法形成一二氧化矽层于该内多晶矽介电层与该第一闸氧化层上,以作为该内多晶矽介电层之一顶层二氧化矽层与一第二闸氧化层。2.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之内多晶矽介电层之该底层二氧化矽层,其厚度约为20埃到200埃之间。3.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之内多晶矽介电层之该氮化矽层,其厚度约为20埃到200埃之间。4.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之湿式蚀刻系利用HF作为蚀刻液。5.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之湿式蚀刻系利用BOE作为蚀刻液。6.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第一闸氧化层厚度约为20埃到200埃之间。7.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之二氧化矽层厚度约为20埃到200埃之间。8.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之以化学气相沈积法形成该二氧化矽层,以作为该内多晶矽介电层之该顶层二氧化矽层与该第二闸氧化层步骤之后,更包括进行热回火,以改善该第二闸氧化层之电性。9.一种提升可程式记忆胞内多晶矽层和闸氧化层品质之制程,该制程包含下列步骤:形成一内多晶矽介电层于一浮置闸上,其系为一底层二氧化矽层与一氮化矽层组合之介电材质;以一光阻定义出一闸氧化层成长区域;高选择性蚀刻该闸氧化层成长区域上之该内多晶矽介电层之该氮化矽层;以湿式蚀刻该闸氧化层成长区域上之该内多晶矽介电层之该底层二氧化矽层;以热氧化法形成一第一闸氧化层于一底材矽上;以化学气相沈积法形成一二氧化矽层于该内多晶矽介电层与该第一闸氧化层上,以作为该内多晶矽介电层之一顶层二氧化矽层与一第二闸氧化层;及进行热回火,以改善该第二闸氧化层之电性。10.如申请专利范围第9项之制程,其中上述之内多晶矽介电层之该底层二氧化矽层,其厚度约为20埃到200埃之间。11.如申请专利范围第9项之制程,其中上述之内多晶矽介电层之该氮化矽层,其厚度约为20埃到200埃之间。12.如申请专利范围第9项之制程,其中上述之湿式蚀刻系利用HF作为蚀刻液。13.如申请专利范围第9项之制程,其中上述之湿式蚀刻系利用BOE作为蚀刻液。14.如申请专利范围第9项之制程,其中上述之第一闸氧化层厚度约为20埃到200埃之间。15.如申请专利范围第9项之制程,其中上述之二氧化矽层厚度约为20埃到200埃之间。16.一种内多晶矽层和闸氧化层之制程,该制程包含下列步骤:形成一内多晶矽介电层于一浮置闸上,其系为一底层二氧化矽层与一氮化矽层组合之介电材质;以一光阻定义出一闸氧化层成长区域;高选择性蚀刻该闸氧化层成长区域上之该内多晶矽介电层之该氮化矽层;以湿式蚀刻该闸氧化层成长区域上之该内多晶矽介电层之该底层二氧化矽层;以化学气相沈积法形成一第一二氧化矽层于该内多晶矽介电层与一底材矽上,以作为该内多晶矽介电层之一第一顶层二氧化矽层与一第一闸氧化层;及以热氧化法形成一第二二氧化矽层于该第一二氧化矽层上,以作为一第二闸氧化层与一第二顶层二氧化矽层。17.如申请专利范围第16项之制程,其中上述之内多晶矽介电层之该底层二氧化矽层,其厚度约为20埃到200埃之间。18.如申请专利范围第16项之制程,其中上述之内多晶矽介电层之该氮化矽层,其厚度约为20埃到200埃之间。19.如申请专利范围第16项之制程,其中上述之湿式蚀刻系利用HF作为蚀刻液。20.如申请专利范围第16项之制程,其中上述之湿式蚀刻系利用BOE作为蚀刻液。21.如申请专利范围第16项之制程,其中上述之第一二氧化矽层厚度约为20埃到200埃之间。22.如申请专利范围第16项之制程,其中上述之第二二氧化矽层厚度约为20埃到200埃之间。图示简单说明:第一A图所示为传统EPROM胞之剖面结构图。第一B图所示为传统E2PROM胞之剖面结构图。第二A图所示为传统的制程,在浮置闸上形成一ONO组合之内多晶矽介电层之剖面结构图。第二B图所示为传统的制程,以乾式蚀刻去除形成闸氧化层区域上之ONO层之氮化矽层,并蚀刻至底层二气化矽层之剖面结构图。第二C图所示为传统的制程,蚀刻至底层二氧化矽层之后,以热氧化法以形成闸氧化层之剖面结构图。第二D图所示为传统的制程,以乾式蚀刻去除形成闸氧化层区域上之ONO层,并蚀刻至底材矽之剖面结构图。第二E图所示为传统的制程,蚀刻至底材矽之后,以热氧化法以形成闸氧化层之剖面结构图。第三A图所示为本发明之制程,在浮置闸上形成一ON组合之内多晶矽介电层之剖面结构图。第三B图所示为本发明之制程,蚀刻去除闸氧化层成长区域上之ON层之氮化矽层之剖面结构图。第三C图所示为本发明之制程,以湿式蚀刻去除闸氧化层成长区域上之ON层之底层二氧化矽层之剖面结构图。第三D图所示为本发明之制程,以热氧化法形成第一闸氧化层之剖面结构图。第三E图所示为本发明之制程,以化学气相沈积法形成ON层上之顶层二氧化矽层,同时形成第二闸氧化层之剖面结构图。第三F图所示为本发明之制程,以化学气相沈积法形成ON层上之第一顶层二氧化矽层,同时形成第一闸氧化层之部面结构图。第三G图所示为本发明之制程,以热氧化法形成第二闸氧化层,同时形成第二顶层二氧化矽层之剖面结构图。 |
