| 发明名称 | 具有降低的电感和减少的芯片连接溢出的半导体芯片封装 | ||
| 摘要 | 在代表性实施例中，一种结构包括：具有顶面的衬底(301)，以及位于衬底(301)的顶面上的芯片连接焊盘(302)。芯片连接焊盘(302)包括芯片连接区(311)和电连接到芯片连接区(311)的至少一个衬底接地焊盘区(313a)。芯片连接焊盘(302)还包括在芯片连接区(311)和至少一个衬底接地焊盘区(313a)之间的芯片连接停止(339)。芯片连接停止(339)用于在封装过程中将芯片连接粘合剂溢出(315)控制和限制在至少一个衬底接地焊盘区(313a)，以使至少一个衬底接地焊盘区(313a)可移近芯片连接区(311)，从而在封装过程中可使用较短的焊接引线(326a)，用于将至少一个衬底接地焊盘区(313a)连接到芯片引线焊接焊盘(314a)。 | ||
| 申请公布号 | CN100418218C | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200480003912.9 | 申请日期 | 2004.01.30 |
| 申请人 | 斯盖沃克斯瑟路申斯公司 | 发明人 | S·L·佩蒂－威克斯;P·L·威尔驰 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01) | 主分类号 | H01L23/495(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1. 一种结构，包括：具有顶面的衬底；芯片连接焊盘，位于所述衬底的所述顶面上，所述芯片连接焊盘具有芯片连接区和电连接到所述芯片连接区的至少一个衬底接地焊盘区，所述芯片连接焊盘还包括在所述芯片连接区和所述至少一个衬底接地焊盘区之间的芯片连接停止，其中所述芯片连接停止包括开口，所述开口限定在所述芯片连接区和所述至少一个衬底接地焊盘区之间的所述芯片连接焊盘中；散热器，位于所述衬底的底面，所述衬底包括至少一个过孔，用于提供在所述至少一个衬底接地焊盘区至所述散热器之间的连接；其中所述芯片连接停止控制并限制芯片连接粘合剂的溢出。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||