发明名称 Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling
摘要 En ferroelektrisk minnekrets (C) omfatter en ferroelektrisk minnecelle i form av en ferroelektnsk polymertynnfilm (F) og henholdsvis første og andre elektroder (E,;E2) som kontaktorer den ferroelektriske minnecelle (F) ved motsatte overflater derav, hvorved en polarisasjonstilstand i cellen (F) kan innstilles, svitsjes eller detekteres ved å påtrykke passende spenninger til elektrodene (E];E2). Minst en av elektrodene (Ei;E2) omfatter minst et kontaktsjikt (Pi;P2) idet minst ett kontaktsjikt (Pi;P2) omfatter en ledende polymer som kontakterer minnecellen (C), og etter valg et annet sjikt (M^M^ av en metallfilm som kontakterer den ledende polymer (Pi;P2), hvorved minst en av elektrodene (Ei;E2) enten omfatter bare et ledende polymerkontaktsjikt (Pt;P2) eller en kombinasjon av et ledende polymerkontaktsjikt (P,;P2) og et metallfilmsjikt (Mi;M2). - En fremgangsmåte i fremstillingen av en ferroelektrisk minnekrets av denne art omfatter suksessive trinn for å avsette et første kontaktsjikt av ledende polymertynnfilm på substratet, og å avsette en ferroelektrisk polymertynnfilm på det første kontaktsjikt, og å avsette et annet kontaktsjikt på toppen av den ferroelektriske polymertynnfilm.
申请公布号 NO20005980(A) 申请公布日期 2002.05.28
申请号 NO20000005980 申请日期 2000.11.27
申请人 THIN FILM ELECTRONICS AB 发明人 JOHANSSON, NICKLAS;CHEN, LICHUN
分类号 H01L21/312;G11C11/22;G11C13/02;H01L21/02;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/115;H01L27/12;H01L27/28;H01L51/00;H01L51/30;(IPC1-7):G11C11/22 主分类号 H01L21/312
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利