基片处理装置

摘要

用于在半导体基片上进行涂层、烘烤和显影处理的基片处理装置中，第一处理区块在基片上进行涂层处理和显影处理。第二处理区块与第一处理区块相对，用以对基片作热处理。第一处理区块包括上单元区块、中间单元区块和下单元区块。上、下单元区块各包括至少一用于在基片上形成层的涂层单元以及至少一用于在基片上显影光致抗蚀剂层的显影单元。中间单元区块可拆卸地位于上、下单元区块之间，且包括涂层单元和显影单元中的至少之一。中间单元区块的结构可根据工艺方案变化，以提高基片处理装置的处理能力。

主权项

1.一种基片处理装置，包括：在基片上进行涂层处理和显影处理的第一处理区块；和与所述第一处理区块相对的第二处理区块，用于对所述基片进行热处理；所述第一处理区块包括：上单元区块，其包括，至少一个在所述基片上形成层的涂层单元和至少一个在所述基片上显影光致抗蚀剂层的显影单元中的一个；下单元区块，其包括，至少一个涂层单元和至少一个显影单元中的另一个；及可拆卸地位于所述上、下单元区块之间的中间单元区块，其包括涂层单元和显影单元中的至少一个。