| 主权项 |
1.一种同时形成对准记号及浅沟槽隔离结构之制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基底,其包括一元件区及一对准区;(b)定义该基底,以在该元件区形成一浅沟槽,并在该对准区形成一对准沟槽;(c)形成一绝缘层,以覆盖该基底并填满该浅沟槽及对准沟槽;(d)定义一光阻层,其覆盖该浅沟槽上方之绝缘层;(e)以该光阻层为罩幕,对暴露之该绝缘层进行回蚀刻,以在该对准区蚀刻至对准沟槽底部,形成一对准记号;及(f)除去该光阻层并对剩余之覆盖该浅沟槽上方的绝缘层施以平坦化步骤,在该元件区完成浅沟槽隔离结构。2.一种同时形成对准记号及浅沟槽隔离结构之制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基底,其包括一元件区及一对准区;(b)在该基底表面形成一堆叠结构,依序其包括一第一绝缘层及一遮蔽层;(c)定义该堆垒结构及基底,以在该元件区形成一浅沟槽,并在该对准区形成一对准沟槽;(d)形成一第二绝缘层,以覆盖该基底上方露出的表面并填满该浅沟槽及对准沟槽;(e)定义一光阻层,其覆盖该浅沟槽上方之第二绝缘层;及(f)以该光阻层及遮蔽层为罩幕,对暴露之该第二绝缘层进行回蚀刻以在该对准区蚀刻至对准沟槽底部,形成一对准记号;(g)除去该光阻层并对剩余之覆盖浅沟槽上方的第二绝缘层施以平坦化步骤;及(h)除去该遮蔽层及第一绝缘层,并在该元件区完成浅沟槽隔离结构。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,该基底为一矽基底。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,该绝缘层为一氧化矽层。5.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,该遮蔽层为一氮化矽层。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中,该氮化矽层系一以二氯矽甲烷、氨气为主反应物,并藉低压化学气相沈积制程产生。7.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该步骤(f)中,系对暴露之该绝缘层进行回蚀刻至该对准沟槽底部,并于其侧壁形成一绝缘间隙壁。8.一种同时形成对准记号及浅沟槽隔离结构之制造方法,包括下列步骤:(a)提供一矽基底,其包括一元件区及一对准区;(b)在该矽基底表面形成一堆叠结构,依序其包括一垫氧化层及一氮化矽层;(c)定义该堆叠结构及矽基底,以在该元件区形成一浅沟槽,并在该对准区形成一对准沟槽;(d)形成一绝缘层,以覆盖该矽基底上方露出的表面并填满该浅沟槽及对准沟槽;(e)定义一光阻层,其覆盖该浅沟槽上方之绝缘层;(f)以该光阻层及氮化矽层为罩幕,对暴露之该绝缘层进行回蚀刻以在该对准区蚀刻至对准沟槽底部,并于其侧壁形成一绝缘间隙壁,形成一对准记号;及(g)除去该光阻层并对剩余之覆盖浅沟槽上方的绝缘层施以平坦化步骤;及(h)除去该氮化矽层及垫氧化层,并在该元件区完成浅沟槽隔离结构。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该步骤(c)包括以一微影制程及蚀刻步骤定义该堆叠结构及该矽基底,以在该元件区形成一浅沟槽,并在该对准区形成一对准沟槽。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该对准区系位于一切割道上(scribe line)。11.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该绝缘层为氧化层。12.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该绝缘层系以高密度电浆沈积法(HDP:high density plasma)形成氧化矽层。13.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该绝缘层系以四乙氧基矽酸盐/臭氧(TEOS/O3)为主反应物,并藉化学气相沈积法(CVD)形成。14.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该绝缘层系以电浆化学气相沈积法形成氧化层(PEOX)。15.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该平坦化步骤系采用化学机械研磨制程。16.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该浅沟槽深度约为3500A。图式简单说明:第一图至第六图系显示一种传统先前技术中,用来形成零层对准记号及浅沟槽隔离结构,以进行晶圆光罩对准之制程剖面图;第七图系显示另一种传统先前技术中,用来形成浅沟槽隔离结构及上层对准记号,以进行晶圆光罩对准之制程剖面图;及第八图至第十四图系显示本发明之一实施例中,同时形成浅沟槽隔离结构及零层对准记号,以进行晶圆光罩对准之制程剖面图。 |
