| 发明名称 | 基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，属于光探测技术领域，解决器件不具有宽光谱、快速、低噪声的响应特性，同时不具有与CMOS工艺兼容、体积小、易于集成和响应光谱范围可调的问题。本发明包括二氧化硅衬底层，二氧化硅衬底层上设置的二硫化钼层，在二硫化钼层的上表面覆盖设置的黑磷导电层，黑磷导电层和二硫化钼构成异质结结构，所述黑磷导电层上设置有第一电极层和第二电极层。本发明用于实现宽光谱、超快响应的光探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN105679876A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610155951.5 | 申请日期 | 2016.03.18 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 陆荣国;叶胜威;田朝辉;寿晓峰;陈德军;张尚剑;刘永 |
| 分类号 | H01L31/109(2006.01)I;H01L31/0264(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/109(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人 | 徐金琼 |
| 主权项 | 一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，其特征在于：包括二氧化硅衬底层(1)，二氧化硅衬底层(1)上设置的二硫化钼层(2)，在二硫化钼层(2)的上表面覆盖设置的黑磷导电层(3)，黑磷导电层(3)和二硫化钼(2)构成异质结结构，所述黑磷导电层(3)上设置有第一电极层(4)和第二电极层(5)。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||