电阻式随机存储器的形成方法

摘要

一种电阻式随机存储器的形成方法，包括：提供基底，所述基底内具有下电极层，所述下电极层顶部与基底表面齐平；在所述基底表面形成介电材料层；在所述介电材料层表面形成上电极层；在所述上电极层表面形成硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层内形成暴露出上电极层的开口；以所述具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺，依次刻蚀所述上电极层以及介电材料层，直至暴露出基底表面，且所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体为H₂；去除所述具有开口的硬掩膜层。本发明避免刻蚀工艺对上电极层以及介电材料层造成刻蚀污染，使得刻蚀后的上电极层侧壁以及介电材料层侧壁清洁，进而提高形成的电阻式随机存储器的电学性能。

主权项

一种电阻式随机存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有下电极层，所述下电极层顶部与基底表面齐平；在所述基底表面和下电极层表面形成介电材料层；在所述介电材料层表面形成上电极层；在所述上电极层表面形成硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层内形成暴露出上电极层的开口；以所述具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺，依次刻蚀所述上电极层以及介电材料层，直至暴露出基底表面，且所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体为H₂；去除所述具有开口的硬掩膜层。