| 发明名称 | 半导体装置与其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体装置与其制造方法。一种半导体装置，包括：一第一掺杂层；一第二掺杂层，其电性与所述第一掺杂层相同；一透明绝缘层，该透明绝缘层位于所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间；一第三掺杂层，该第三掺杂层位于相对该透明绝缘层的所述第二掺杂层的另一侧，且其电性与所述第二掺杂层相反；以及一导通结构，该导通结构贯穿所述第二掺杂层、所述第三掺杂层以及所述透明绝缘层，以电性耦合所述第一掺杂层以及所述第三掺杂层。 | ||
| 申请公布号 | CN103545336B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201210238572.4 | 申请日期 | 2012.07.10 |
| 申请人 | 华夏光股份有限公司 | 发明人 | 张源孝;卢怡安 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司 44254 | 代理人 | 马静 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一第一掺杂层；一第二掺杂层，其电性与所述第一掺杂层相同；一透明绝缘层，所述透明绝缘层位于所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间；一第三掺杂层，所述第三掺杂层位于相对所述透明绝缘层的所述第二掺杂层的另一侧，且其电性与所述第二掺杂层相反；以及复数个导通结构，所述复数个导通结构贯穿所述第二掺杂层、所述第三掺杂层以及所述透明绝缘层，以电性耦合所述第一掺杂层以及所述第三掺杂层，其中每个导通结构包括:一孔洞，所述孔洞贯穿所述第二掺杂层、所述第三掺杂层以及所述透明绝缘层；一绝缘层，所述绝缘层形成在所述孔洞的侧壁；一导电层，所述导电层填满所述孔洞，且电性耦合所述第一掺杂层与所述第三掺杂层。 | ||
| 地址 | 开曼群岛KY1-1104大开曼岛阿格兰屋邮政信箱309 | ||