发明名称 |
陶瓷基质复合物制品及用于形成其的方法 |
摘要 |
本发明涉及陶瓷基质复合物制品及用于形成其的方法。具体而言,一种陶瓷基质制品包括具有第一游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物基底,其包括陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料,以及具有第二游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物外层,其包括设置在基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料,或具有第二游离硅比例的聚合物浸渍和热解的陶瓷基质复合物外层,其包括设置在基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料。第二游离硅比例小于第一游离硅比例。 |
申请公布号 |
CN105924200A |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201610106271.4 |
申请日期 |
2016.02.26 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
J.D.斯泰贝尔 |
分类号 |
C04B38/00(2006.01)I;C04B35/80(2006.01)I;C04B35/571(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I |
主分类号 |
C04B38/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
严志军;周心志 |
主权项 |
一种陶瓷基质复合物制品,包括:具有第一游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物基底,其包括陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料;以及具有第二游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物外层,其包括设置在所述基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料,或具有第二游离硅比例的聚合物浸渍和热解的陶瓷基质复合物外层,其包括设置在所述基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料;以及其中所述第二游离硅比例小于所述第一游离硅比例。 |
地址 |
美国纽约州 |