JUNCTION-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH MORE HIGHLY DOPED CONNECTING AREA

摘要

Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor umfasst einen Halbleiterbereich (10) mit einem Innengebiet (13). Innerhalb des Halbleiterbereichs (10) sind ausserdem ein erstes und ein zweites Verbindungsgebiet (22) bzw. (32) angeordnet. Das erste Verbindungsgebiet (22) hat den gleichen Leitungstyp wie das Innengebiet (13), allerdings in einer höheren Dotierungskonzentration. Das zweite Verbindungsgebiet (22) hat den gegenüber dem Innengebiet (13) entgegengesetzten Leitungstyp. Dadurch wird eine Reduzierung des Durchlasswiderstands bei gleichzeitiger Wahrung einer hohen Sperrspannungsfestigkeit erreicht.