半导体结构

摘要

本发明公开了一种半导体结构。此种半导体结构包括：一基板；一第一掺杂区、一第一阱及一第二掺杂区，形成于基板中；多个第一重掺杂区，形成于第一掺杂区中；多个导电体及多个介电质，形成于基板上并介于第一重掺杂区之间；一第二重掺杂区，形成于第一阱中；一第三重掺杂区及一第四重掺杂区，形成于第二掺杂区中；以及一第一栅电极及一第一栅介电质。第一掺杂区、第一阱、第二重掺杂区及第四重掺杂区具有一第一掺杂类型。第二掺杂区、第一重掺杂区及第三重掺杂区具有一第二掺杂类型。

主权项

一种半导体结构，包括：一基板；一第一掺杂区，形成于该基板中，该第一掺杂区具有一第一掺杂类型；一第一阱，形成于该基板中，该第一阱具有该第一掺杂类型；一第二掺杂区，形成于该基板中并围绕该第一掺杂区，该第二掺杂区将该第一阱与该第一掺杂区分离，该第二掺杂区具有一第二掺杂类型；多个第一重掺杂区，形成于该第一掺杂区中，这些第一重掺杂区具有该第二掺杂类型；多个导电体及多个介电质，形成于该基板上并介于这些第一重掺杂区之间，其中这些导电体是形成于这些介电质上；一第二重掺杂区，形成于该第一阱中，该第二重掺杂区具有该第一掺杂类型；一第三重掺杂区，形成于该第二掺杂区中，该第三重掺杂区具有该第二掺杂类型；一第四重掺杂区，形成于该第二掺杂区中并相邻于该第三重掺杂区，该第四重掺杂区具有该第一掺杂类型；以及一第一栅电极及一第一栅介电质，形成于该基板上并介于这些第一重掺杂区与该第四重掺杂区之间，其中该第一栅电极是形成于该第一栅介电质上。