发明名称 电源接通复置电路
摘要 一种电源接通复置电路,具备有:第l及第2变频电路(10、12),相互被连接; 电容器(14),连接于第l变频电路(10)之输入波节(NDA);及缓冲电路(20~25),根据第l变频电路(10)之输出彼节(NDB)的电压用以产生电源接通复置信号(/POR); 并为了使第2变频电路(12)中之N频道 MOS电晶体(124)的源极电压比接地电压(GND)更上昇,在该电晶体(124)之源极及接地波节(2)之间插入被二极体连接之电晶体(18)。因此,本电源接通复置电路,系使电源电压(VCC)即使下降时也可确实用以产生电源接通复置信号(/POR)。
申请公布号 TW393641 申请公布日期 2000.06.11
申请号 TW087105702 申请日期 1998.04.15
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 丁磊
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种电源接通复置电路,用以产生电源投入后预定期间电源接通复置信号(/POR),具备有:第1CMOS变频电路(10);第2CMOS变频电路(12),具有:连接于前述第1CMOS变频电路(10)之输出波节(NDB)的输入波节(NDA);及连接于前述第1CMOS变频电路(10)之输入波节(NDA)的输出波节(NDB);电容器(14),连接于电源波节(1)及前述第1CMOS变频电路(10)之输入波节(NDA)之间;电压上昇装置(18;181-183;401-403;411-413),使前述第2CMOS变频电路(12)中之N频道MOS电晶体(124)的源极电压比接地电压(GND)仅上昇预定电压;及缓冲电路(20-25),反应于前述第1CMOS变频电路(10)之输出波节(NDB)的电压并用以产生前述电源接通复置信号(/POR)。2.如申请专利范围第1项之电源接通复置电路,其中前述电压上昇装置,系在前述N频道MOS电晶体(124)之源极及接地波节(2)之间含有被二极体连接之电晶体(18)。3.如申请专利范围第1项之电源接通复置电路,其中前述电压上昇装置,系含有:复数之电晶体(181-183),在前述N频道MOS电晶体(124)之源极及接地波节(2)之间以串联被连接,并使各自被二极体连接;及切换元件(401-403;411-413),前述复数之电晶体(181-183)之中至少1个以并联被连接。4.如申请专利范围第1项之电源接通复置电路,其中前述电压上昇装置,进而含有控制装置(421-423;431-434),根据电源电压VCC将前述切换元件(411-413)控制呈ON/OFF状态。5.一种电源接通复置电路,用以产生电源投入后预定期间电源接通复置信号(/POR),系具备有:第1波节(NAD);第2波节(NDB);电容器(14);系连接于电源波节(1)及第1波节(NDA)之间;第1电晶体(102),系具有:连接于第1波节(NDA)之闸极;连接于前述电源波节(1)之源极;及连接于前述第2波节(NDB)之汲极;第2电晶体(104),系具有:连接于前述第1波节(NDA)之闸极;连接于前述第2波节(NDB)之汲极;及连接于接地波节(2)之源极;第3电晶体(122),系具有:连接于前述第2波节(NDB)之闸极;连接于前述电源波节(1)之源极;及连接于前述第1波节(NDA)之汲极;第4电晶体(124),系具有连接于前述第2波节(NDB)之闸极;第5电晶体(126),系具有:接受预定电压之闸极;连接于前述第1波节(NDA)之汲极;及连接于前述第4电晶体(124)之汲极的源极;第6电晶体(18),系具有:连接于前述第4电晶体(124)之源极的闸极;连接于前述第4电晶体(124)之源极的汲极;及连接于前述接地波节(2)之源极;及缓冲电路(20-25),系反应于前述第2波节(NDB)之电压用以产生前述电源接通复置信号(/POR)。图式简单说明:第一图系显示根据本发明之实施形态1电源接通复置电路之全体构成之电路图。第二图根据第一图所示之实施形态1为了说明电源接通复置电路之动作的波形图。第三图系显示根据本发明之实施形态2电源接通复置电路之重要部分构成之电路图。第四图系显示根据本发明之实施形态3电源接通复置电路之重要部分构成之电路图。
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