| 主权项 |
1.一种光二极体的结构,具有一第一导电型的基底,该基底上至少包括一隔离区,该光二极体的结构包括:一第二导电型的掺杂区,该第二导电型的掺杂区设置于该基底中,并以一距离与该隔离区相邻;以及一罩幕层,该罩幕层至少覆盖部份的该隔离区周缘,且暴露出该第二导电型的掺杂区。2.如申请专利范围第1项所述之光二极体的结构,其中该基底包括一掺杂的井区。3.如申请专利范围第1项所述之光二极体的结构,其中该第一导电型与该第二导电型的电性相反。4.如申请专利范围第1项所述之光二极体的结构,其中该第二导电型的掺杂区的掺杂步骤系以砷(As75)做为掺杂离子,离子植入的能量约为100KeV,离子植入的剂量约为4.01014/cm2。5.如申请专利范围第1项所述之光二极体的结构,其中该罩幕层包括多晶矽层。6.一种光二极体的结构,具有一第一导电型的基底,该基底至少包括一元件区,该元件区的周围配置一隔离区,该光二极体的结构更包括:一第二导电型的掺杂区,该第二导电型的掺杂区设置于该元件区内,并以一距离与该隔离区相邻。7.如申请专利范围第6项所述之光二极体的结构,其中该基底包括一掺杂的井区。8.如申请专利范围第6项所述之光二极体的结构,其中该第一导电型与该第二导电型的电性相反。9.如申请专利范围第6项所述之光二极体的结构,其中该第二导电型的掺杂区的掺杂步骤系以砷(As75)做为掺杂离子,离子植入的能量约为100KeV,离子植入的剂量约为4.01014/cm2。10.一种光二极体的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该某底上形成一隔离区,用以做为绝缘之用;于该基底上形成一已定义的罩幕层,该罩幕层至少覆盖部份的该隔离区周缘,且暴露出该基底欲进行掺杂的区域;以及以该罩幕层和该隔离区做为罩幕,进行一离子掺杂步骤,形成一离子掺杂区。11.如申请专利范围第10项所述之光二极体的制造方法,其中该基底包括一掺杂的井区。12.如申请专利范围第10项所述之光二极体的制造方法,其中该隔离区包括场氧化层。13.如申请专利范围第10项所述之光二极体的制造方法,其中该隔离区形成的方法包括区域氧化法。14.如申请专利范围第10项所述之光二极体的制造方法,其中该基底与该离子掺杂区之掺杂离子的电性相反。15.如申请专利范围第10项所述之光二极体的制造方法,其中该离子掺杂步骤系以砷(As75)做为掺杂离子,离子植入的能量约为100KeV,离子植入的剂量约为4.01014/cm2。16.如申请专利范围第10项所述之光二极体的制造方法,其中该罩幕层包括多晶矽层。图式简单说明:第一图A至第一图B系绘示传统式光二极体的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图C系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种光二极体的制造流程剖面图。 |
