Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Inverters auf einem SOI-Substrat mit Hilfe einer SIMOX Technik,申请号DE19936028911-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Inverters auf einem SOI-Substrat mit Hilfe einer SIMOX Technik
摘要
申请公布号	DE69328911(D1)	申请公布日期	2000.08.03
申请号	DE19936028911	申请日期	1993.01.27
申请人	CANON K.K., TOKIO/TOKYO	发明人	INOUE, SHUNSUKE;KOIZUMI, TORU;MIYAWAKI, MAMORU;SUGAWA, SHIGETOSHI
分类号	G02F1/136;G02F1/1368;H01L21/208;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/12;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/12	主分类号	G02F1/136
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